Disco SSD Samsung 970 EVO Plus 500GB/ M.2 2280 PCIe
- Interfaz: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3
- Capacidad: 500 GB
- Velocidad de lectura secuencial: Hasta 3.500 MB / s
- Velocidad de escritura secuencial: Hasta 3.300 MB / s
- Controladora Samsung Phoenix
- NAND Flash: Samsung V-NAND de 3 bits MLC
- Trim Support: Soportado
- Encriptación AES: Encriptación AES de 256 bits (Clase 0) TCG / Opal IEEE1667 (Unidad encriptada)
- Producto: M.2 (2280)
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Serie: SSD 970 EVO
Interfaz: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
Capacidad: 500 GB (1 GB = 1 mil millones de bytes por IDEMA)
Velocidad de lectura secuencial: Hasta 3.400 MB / s
Velocidad de escritura secuencial: Hasta 2.300 MB / s
Velocidad de lectura aleatoria: Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 200,000 IOPS de lectura aleatoria, Lectura aleatoria (4KB, QD1): hasta 15,000 lecturas aleatorias IOPS
Velocidad de escritura aleatoria: Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 350,000 IOPS de escritura aleatoria, Escritura aleatoria (4KB, QD1): hasta 50,000 IOPS de escritura aleatoria
Controlador: Controlador Samsung Phoenix
NAND Flash: Samsung V-NAND de 3 bits MLC
Trim Support: Soportado
Encriptación AES: Encriptación AES de 256 bits (Clase 0) TCG / Opal IEEE1667 (Unidad encriptada)
Prueba de temperatura: Sí
Consumo de energía promedio (nivel del sistema): Promedio: 5.4 W * Máximo: 10 W (modo de ráfaga)
Consumo de energía (inactivo): Max. 30 mW
Voltaje: 3.3 V ±, 5% de voltaje permitido
Confiabilidad (MTBF): 1.5 millones de horas de fiabilidad (MTBF)
Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ? Temperatura de funcionamiento
Choque: 1,500 G y 0,5 ms (medio seno)
Producto: M.2 (2280)
Dimensiones (W x D x H): 3.16 "x 0.09" x 0.87 "
Peso: Max 0.28 oz.
Serie: SSD 970 EVO
Interfaz: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
Capacidad: 500 GB (1 GB = 1 mil millones de bytes por IDEMA)
Velocidad de lectura secuencial: Hasta 3.400 MB / s
Velocidad de escritura secuencial: Hasta 2.300 MB / s
Velocidad de lectura aleatoria: Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 200,000 IOPS de lectura aleatoria, Lectura aleatoria (4KB, QD1): hasta 15,000 lecturas aleatorias IOPS
Velocidad de escritura aleatoria: Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 350,000 IOPS de escritura aleatoria, Escritura aleatoria (4KB, QD1): hasta 50,000 IOPS de escritura aleatoria
Controlador: Controlador Samsung Phoenix
NAND Flash: Samsung V-NAND de 3 bits MLC
Trim Support: Soportado
Encriptación AES: Encriptación AES de 256 bits (Clase 0) TCG / Opal IEEE1667 (Unidad encriptada)
Prueba de temperatura: Sí
Consumo de energía promedio (nivel del sistema): Promedio: 5.4 W * Máximo: 10 W (modo de ráfaga)
Consumo de energía (inactivo): Max. 30 mW
Voltaje: 3.3 V ±, 5% de voltaje permitido
Confiabilidad (MTBF): 1.5 millones de horas de fiabilidad (MTBF)
Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ? Temperatura de funcionamiento
Choque: 1,500 G y 0,5 ms (medio seno)
Producto: M.2 (2280)
Dimensiones (W x D x H): 3.16 "x 0.09" x 0.87 "
Peso: Max 0.28 oz.
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