SAMSUNG SSD 9100 PRO WITH HEATSINK 4TB WARRANTY STATEMENT
SAMSUNG SSD 9100 PRO WITH HEATSINK 4TB WARRANTY STATEMENT
Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 4 TB
- Interfaz: PCI Express 5.0
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 8,88 mm
- Altura: 25 mm
- Peso: 30 g
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Average power consumption (read): 9 W
- Average power consumption (write): 8,2 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Tipo de embalaje: Caja
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 4 TB
- Interfaz: PCI Express 5.0
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 8,88 mm
- Altura: 25 mm
- Peso: 30 g
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Average power consumption (read): 9 W
- Average power consumption (write): 8,2 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Tipo de embalaje: Caja
SAMSUNG SSD 9100 PRO WITH HEATSINK 4TB WARRANTY STATEMENT
Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 4 TB
- Interfaz: PCI Express 5.0
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 8,88 mm
- Altura: 25 mm
- Peso: 30 g
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Average power consumption (read): 9 W
- Average power consumption (write): 8,2 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Tipo de embalaje: Caja
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 4 TB
- Interfaz: PCI Express 5.0
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 8,88 mm
- Altura: 25 mm
- Peso: 30 g
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Average power consumption (read): 9 W
- Average power consumption (write): 8,2 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Tipo de embalaje: Caja
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC (Espera 4 dias)
- Marca: Samsung
- Código: MZ-VAP4T0CW
- Disponibilidad: 19 (48/72h)
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