General
capacidad 4 gb
tipo de actualización genérica
memoria
tipo dram
tecnología ddr4 sdram
factor de forma so - dimm de 260 espigas
altura del módulo (pulgadas) 1.18
velocidad 2666 mhz (pc4 - 21300)
tiempos de latencia cl19 (19 - 19 - 19)
comprobación integridad datos no ecc
características fila única -on - die terminatión (odt) -seríal presence
detect (spd) -sin búfer
configuración de módulos 512 x 64
organización de los chips 512 x 16
tensión 1.2 v
blindaje de conector oro
diverso
cumplimiento de normas rohs -libre de halógenos
- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 350 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 45,75 ns
- Acorde RoHS: Si
- Programador de potencia de voltaje (VPP): 2,5 V
- Voltaje de memoria: 1.2 V
- Latencia CAS: 19
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
- Clasificación de memoria: 1
- Libre de halógenos: Si
- Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM
- Componente para: Portátil
- Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR4
- Memoria interna: 4 GB
- Altura: 30 mm
- Profundidad: 2,45 mm
- Ancho: 69,6 mm
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
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